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引き合い
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6731061

2N2222AE3

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規格
  • 部品型番
    2N2222AE3
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    SMALL-SIGNAL BJT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    RoHS準拠
  • 仕様書
  • ECADモデル
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和(最大)
    1V @ 50mA, 500mA
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-18
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    RoHS Compliant
  • 電力 - 最大
    500mW
  • パッケージ/ケース
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 運転温度
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小)
    100 @ 150mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大)
    50nA
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    800mA
MW-10-03-G-D-153-065

MW-10-03-G-D-153-065

説明: 1MM X 1MM C.L. SURFACE MOUNT BOA

メーカー: Samtec, Inc.
在庫あり

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