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引き合い
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304231STGW8M120DF3絵STMicroelectronics

STGW8M120DF3

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規格
  • 部品型番
    STGW8M120DF3
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • ECADモデル
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
    1200V
  • VGE、Icを@ VCE(上)(最大)
    2.3V @ 15V, 8A
  • 試験条件
    600V, 8A, 33 Ohm, 15V
  • Td(オン/オフ)@ 25℃
    20ns/126ns
  • エネルギーの切り替え
    390µJ (on), 370µJ (Off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247-3
  • シリーズ
    M
  • 逆回復時間(trrの)
    103ns
  • 電力 - 最大
    167W
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 他の名前
    497-17619
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル(MSL)
    Not Applicable
  • メーカーの標準リードタイム
    42 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • ゲートチャージ
    32nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247-3
  • 電流 - コレクタパルス(ICM)
    32A
  • 電流 - コレクタ(Ic)(Max)
    16A
IPA65R280E6XKSA1

IPA65R280E6XKSA1

説明: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220

メーカー: International Rectifier (Infineon Technologies)
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