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引き合い
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3581077HS3JB R5G絵TSC (Taiwan Semiconductor)

HS3JB R5G

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規格
  • 部品型番
    HS3JB R5G
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • ECADモデル
  • 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@
    1.7V @ 3A
  • 電圧 - 逆(VR)(最大)
    600V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DO-214AA (SMB)
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間(trrの)
    75ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    DO-214AA, SMB
  • 他の名前
    HS3JB R5GTR
    HS3JB R5GTR-ND
    HS3JBR5GTR
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    20 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 600V
  • 電流 - 平均整流(イオ​​)
    3A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    50pF @ 4V, 1MHz
HS3J V7G

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HS3G M6G

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HS3KB M4G

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HS3G R7G

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説明: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

メーカー: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HS3M V6G

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説明: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

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HS3M V7G

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説明: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

メーカー: TSC (Taiwan Semiconductor)
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HS3M R7G

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説明: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

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HS3K V7G

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説明: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

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HS3K R7G

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HS3GB R5G

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HS3J R7G

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HS3J V6G

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HS3FB R5G

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HS3J M6G

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HS3M M6G

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説明: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

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HS3KB R5G

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HS3G V6G

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HS3K V6G

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HS3F V7G

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HS3K M6G

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